随着射频与功率电子系统向更高功率密度、更高电流密度发展，GaN HEMT 的自热问题日益突出。对于实际器件而言，沟道温度通常需要控制在 225 °C 以下，否则可靠性和寿命将快速下降。 金刚石因其超高热导率（单晶可达 ~2200 W/m·K），被认为是 GaN 器件最理想的 ...